日本科技大廠富士通（Fujitzu）於 30 日宣布，推出型號為 MB85RS2MTY 的 2 Mbit FRAM。此款容量最高的 FRAM 產品能在高達攝氏 125 度的高溫下運作，積極搶攻汽車電子與工業用產品市場，評測樣品現已開始供應。
富士通指出，此款 FRAM 非揮發性記憶體在運作溫度範圍內能保證 10 兆次讀寫週期，並支援像記錄駕駛資料，或即時定位資料等這類持續且頻繁的資料記錄。由於該記憶體屬於非揮發性，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的資料也能受到保護不會遺失。因此，這款產品適用於需在高溫環境運作的應用，像是具有會產生大量熱能的引擎或馬達的汽車設備與工業機器人。
富士通進一步表示，在過去約 20 年間，富士通量產各種 FRAM 非揮發性記憶體產品，具備比 EEPROM 及快閃記憶體更高的讀寫耐用度、更快的寫入速度及更低的功耗。而這款擁有 2Mbit 密度的產品採用 SPI 介面，支援從 1.8 伏特至 3.6 伏特的廣泛電壓範圍，且運作耐熱度可高達攝氏 125 度，即使在這樣的高溫環境也能保證 10 兆次的讀寫次數，相當於 EEPROM 的 1 千萬倍。而且，最高運作頻率則達到 50MHz，比現有產品快 1.5 倍。此外，這些產品的可靠度測試符合 AEC-Q100 Grade 1 標準，達到稱為「汽車級」產品的認證標準。
另外，此款 FRAM 採用業界標準 8-pin SOP 封裝，使其能輕鬆取代現有類似腳位的 EEPROM 產品。而且，也提供擁有 8-pin DFN (Dual Flatpack Non-leaded) 的封裝。
目前，富士通持續為 IC 卡、工業機械與消費性裝置提供資料寫入效能高於 EEPROM 的 FRAM 產品。能在最高攝氏 125 度環境中運作的 FRAM 產品，自 2017 年起就已經量產。因此，這類 FRAM 逐漸被廣泛用在需要在高溫下維持運作與高可靠度的汽車及工業機械市場。此次，富士通研發並推出最大容量的 2Mbit 產品，藉此強化可運作於高達 125 度的 FRAM 產品陣容。而未來，富士通還將持續提供各種 FRAM 產品與解決方案，協助客戶提升各類應用的價值與便利性。
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