中國武漢新芯發展 3D NAND 用飛的?分析師:2018 量產 48 層堆疊

作者 | 發布日期 2016 年 05 月 10 日 14:45 | 分類 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


武漢新芯記憶體生產基地在 3 月正式啟動,目標在 2030 年成為月產能百萬片的半導體巨人,科技新報先前曾發表專文,闡述武漢新芯發展記憶體的難點,不過,現在有花旗分析師認為,武漢新芯 2017 年可完成 48 層 3D NAND Flash 生產驗證,到 2018 年就能量產。

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