第三季行動式記憶體產值季增 16.8%

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 24 日 14:10 | 分類 手機 , 晶片 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
第三季行動式記憶體產值季增 16.8%


TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示,受惠於全球智慧型手機進入傳統備貨旺季,加上各 DRAM 產品價格同步上揚,第三季行動式記憶體總產值達 45.88 億美元,季成長約 16.8%。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,第三季有蘋果 iPhone 7 與三星 Note 7 旗艦機型發表,讓全球行動式記憶體出貨大增,縱使 Note 7 受爆炸影響於第四季宣布停產,先前的備料動作已為第三季行動式記憶體的營收做出貢獻。

以三大 DRAM 廠行動式記憶體營收市佔來看,三星半導體營收持續擴大到約 64.5%,SK 海力士約為 22.8%,美光半導體為 10.6%,三大主要 DRAM 廠的營收佔比達 97.9%,而排名第四的南亞科僅有 1.3%。

吳雅婷指出,第三季行動式記憶體佔 DRAM 總營收比率上升至 43.5%,在 Note 7 停產後各品牌廠紛紛搶佔三星失去的市場,且行動式記憶體價格上漲趨勢不變的情況下,預計今年第四季行動式記憶體在 DRAM 總營收佔比仍將持續擴大。

三星仍為技術領導者,獲利能力為三大 DRAM 廠最高

就三大 DRAM 廠競爭能力分析,三星仍是行動式記憶體霸主,除 20 奈米製程已進入相當成熟的階段,今年第四季更有 LPDDR4 16Gb mono die 正接受客戶的驗證,其技術領先業界,如驗證成功,2017 年的高階手機將有望搭載 8GB 記憶體。此外,其 18 奈米製程技術也將於明年放量,有望進一步提升三星半導體部門獲利。

SK 海力士 21 奈米製程良率正逐步提升,加上適逢手機傳統出貨旺季,其行動式記憶體的 21 奈米製程的投片量也在第三季放大,SK 海力士計劃將 21 奈米製程良率推至更成熟的階段,明年下半年也將導入 18 奈米的試產,提高自身競爭力。

美光集團先前由於財務狀況不穩定,在行動式記憶體採取 20/25 奈米並重的策略,並以華亞科 20 奈米轉進速度最快,專注於提供蘋果陣營的需求,而非蘋果陣營的行動式記憶體需求交由廣島廠與台灣美光記憶體的 25 奈米製程供應比重較高。明年美光集團也有望導入 18 奈米製程。

台系 DRAM 廠方面,受惠於行動式記憶體的生產比重提升,加上行動式記憶體漲價,南亞科在全球 DRAM 廠季營收市佔從 1.1% 提升至 1.3%。目前南亞科廠內正進入 20 奈米製程轉換工程,該製程的行動式記憶體產能將於明年開出。

華邦電子第三季在全球 DRAM 廠的營收市佔與上季持平,約 0.8%,整體營收在客製化產品與 ASIC 產品價格提升後小幅成長,華邦電子新製程 38 奈米有機會於今年少量生產,且將優先利用在利基型記憶體與行動式記憶體上。

新聞稿
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(首圖來源:shutterstock)