原廠先進製程不順，第二季標準型記憶體合約價格續漲 12.5%

Trendforce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，由於原廠先進製程品質問題頻傳，第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩，價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來，第二季 4GB DDR4 模組合約均價來到 27 美元，相較第一季的 24 美元，上漲幅度約 12.5%。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，進入第二季，全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態，各 PC OEM 大廠正陸續與主要 DRAM 原廠議定新一季的合約價格。原先市場期待供給即將增加，但由於三星、美光等先進大廠在 18 或 17 奈米上都出現品質異常的狀況，使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解，第二季整體 DRAM 確定維持上漲走勢。

三星、美光製程轉進遇瓶頸，供貨吃緊短期難解

從第一季中開始，三星 18 奈米的標準型記憶體產品陸續進入量產階段，但由於先進製程的設計難度高，在生產的過程中容易與部分筆電的平台出現相容性相關的問題，導致產線的不良率過高，影響出貨。目前三星半導體正積極解決該異常狀況，但出貨不順的現況使供貨吃緊的態勢未能舒緩。

同時，美光的 17 奈米產品也在第一季中陸續送交樣品給客戶做測試，目前測試過程並不順利，原先設定在第二季可能量產的目標恐將推遲。

SK 海力士則因為目前沒有進行製程轉換，成為三大廠當中唯一沒有遭遇供貨不順問題的廠商。吳雅婷指出，三星和美光遭逢的狀況說明製程轉進至 20 奈米以下時，在設計、生產的難度都大幅提升，此外，也說明製程微縮能享有的位元成長越來越少，使得供貨端吃緊的態勢若要得到舒緩，還需花費更多時間。

吳雅婷進一步指出，整體而言，第二季記憶體價格持續向上的趨勢仍未改變。除標準型記憶體外，伺服器記憶體的漲幅也相當明顯，預估將達 10%~15%。而行動式記憶體則為目前漲幅最小者，在中國智慧型手機的出貨動能尚未大幅轉強以前，預估第二季行動式記憶體漲幅僅約 5%以下，其中 eMCP 產品因 NAND 同時缺貨的緣故，漲幅較高，約達 5%。

（首圖來源：shutterstock）