TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,
由於中國地區在近年內是記憶體產出的最大出海口,
一、DRAM 雖仍呈供貨吃緊狀態,但未來漲幅將受抑制
就 DRAM 領域來看,
二、供應商為避免價格漲幅過高,新增產能的可能性增加
其次,在 NAND Flash 領域,2018 年由於 3D NAND Flash 的比重持續提高,因此供貨吃緊的狀態較 2017 年大幅改善。
(首圖來源:shutterstock)
中國發改委與三星傳將簽 MOU,估將壓抑 DRAM 漲幅、加速增產 |
作者 TechNews | 發布日期 2018 年 02 月 01 日 15:00 | 分類 Samsung , 中國觀察 , 晶片 | edit |
TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,
由於中國地區在近年內是記憶體產出的最大出海口,
一、DRAM 雖仍呈供貨吃緊狀態,但未來漲幅將受抑制
就 DRAM 領域來看,
二、供應商為避免價格漲幅過高,新增產能的可能性增加
其次,在 NAND Flash 領域,2018 年由於 3D NAND Flash 的比重持續提高,因此供貨吃緊的狀態較 2017 年大幅改善。
(首圖來源:shutterstock)