SK 海力士搶先量產業界首款 128 層 4D NAND Flash

作者 | 發布日期 2019 年 06 月 26 日 16:00 | 分類 國際貿易 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


南韓記憶體大廠 SK 海力士(SK Hynix)26 日宣布,將開始量產採用 128 層 4D NAND 型快閃記憶體(NAND Flash)技術的 1TB 三階儲存單元(TLC),不僅儲存密度達業界最高,而 SK 海力士也是全球首家商業化規模生產的業者。

韓聯社週三報導,這款 128 層堆疊的 4D NAND Flash 預計下半年開始出貨。據 SK 海力士表示,TLC 規格晶片具有出色的性能和可靠性,目前占 NAND Flash 市場比重 85% 以上。

SK 海力士指出,若採用 128 層的 1TB NAND Flash,使用在 1TB 容量產品的 NAND 晶片數量將減少一半。隨著堆疊層數持續躍增,NAND Flash 容量也大幅成長,SK 海力士表示,已著手研發下一代 176 層 4D NAND Flash。

韓聯社 4 月 3 日報導,南韓晶片巨頭三星電子(Samsung Electronics)和 SK 海力士 2018 年繼續維持在全球半導體市場的領先地位。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,三星去年 NAND Flash 銷售額為 221.9 億美元,全球市場市占率達 35%,高居第一;日本東芝(Toshiba)以 19.2% 市占率排名第二;SK 海力士市占率 10.6%,排名第五。

Pulse News 21 日報導,由於晶片產業持續低迷和中國需求放緩,南韓出口額已連續第 7 個月呈現驟降。據南韓海關 21 日公布的最新數據,南韓 6 月 1~20 日的出口總額為 272 億美元,比去年同期下降 10%。其中,占出口總額 17% 的半導體出口額大跌 24.3%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士

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