SK 海力士搶先量產業界首款 128 層 4D NAND Flash

南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）26 日宣布，將開始量產採用 128 層 4D NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）技術的 1TB 三階儲存單元（TLC），不僅儲存密度達業界最高，而 SK 海力士也是全球首家商業化規模生產的業者。

韓聯社週三報導，這款 128 層堆疊的 4D NAND Flash 預計下半年開始出貨。據 SK 海力士表示，TLC 規格晶片具有出色的性能和可靠性，目前占 NAND Flash 市場比重 85% 以上。

SK 海力士指出，若採用 128 層的 1TB NAND Flash，使用在 1TB 容量產品的 NAND 晶片數量將減少一半。隨著堆疊層數持續躍增，NAND Flash 容量也大幅成長，SK 海力士表示，已著手研發下一代 176 層 4D NAND Flash。

韓聯社 4 月 3 日報導，南韓晶片巨頭三星電子（Samsung Electronics）和 SK 海力士 2018 年繼續維持在全球半導體市場的領先地位。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新調查，三星去年 NAND Flash 銷售額為 221.9 億美元，全球市場市占率達 35%，高居第一；日本東芝（Toshiba）以 19.2% 市占率排名第二；SK 海力士市占率 10.6%，排名第五。

Pulse News 21 日報導，由於晶片產業持續低迷和中國需求放緩，南韓出口額已連續第 7 個月呈現驟降。據南韓海關 21 日公布的最新數據，南韓 6 月 1~20 日的出口總額為 272 億美元，比去年同期下降 10%。其中，占出口總額 17% 的半導體出口額大跌 24.3%。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：SK 海力士）