美光飆近 11 個月高!高盛:記憶體庫存去化快過預期

作者 | 發布日期 2019 年 07 月 23 日 11:00 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


摩根士丹利(大摩)等看淡近來 DRAM 漲勢,一度打壓美光(Micron)股價。

不過高盛改變看法,高呼記憶體庫存的去化速度快過預期,激勵美光站上將近 11 個月高點。

22 日美光跳漲 3.67% 收 47.19 美元,創 2018 年 9 月 5 日以來收盤新高,並為連續第 4 天收漲。今年至今大漲 48.72%。

Barron’s、MarketWatch、CNBC 報導,高盛原本憂慮記憶體庫存過多,會壓抑近期價格,對記憶體晶片商的基本面看法審慎。但是週一高盛改變看法,分析師 Mark Delaney 調高美光評等,由「中立」升至「買進」。

Delaney 報告稱,相信記憶體業者去化過剩庫存的速度,將快過先前估計,特別是 NAND Flash,高盛現在對全球記憶體商的股價,看法較為正面。如果 NAND 需求在本季觸底,將有助 DRAM 市場情緒,兩者之間向來有歷史連動性。NAND 好轉應該被視為 DRAM 的領先指標;他們也持續預測,潛在生產速度將低於 2020 年的長期需求,供需狀況將好轉。

Delaney 相信,記憶體業者的 NAND 庫存水位,從 6 月開始減少;東芝記憶體(Toshiba Memory)先前的停電事件會加速去化庫存。他同時表示,中國記憶體業者在 DRAM 進展有限。高盛指出,美光業務中,60~70% 為 DRAM,約 30% 為 NAND Flash。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:美光)

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