應材提出三大關鍵技術，加速 DRAM 微縮
作者 | 發布日期 2021 年 05 月 12 日 17:59 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
應材提出三大關鍵技術，加速 DRAM 微縮


應用材料近日發布一款材料工程解決方案，為記憶體客戶提供三種新方法，以進一步微縮 DRAM 並加速改善晶片效能、功耗和單位面積成本和上市時間（PPACt）。

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