第三代半導體發展突破!日本企業全球首次量產氧化鎵 4 吋晶圓

作者 | 發布日期 2021 年 06 月 16 日 15:10 | 分類 晶圓 , 材料、設備 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


全球半導體產開始聚焦第三代半導體發展之際,日本媒體報導,日本半導體企業 Novel Crystal Technology 首次成功量產 4 吋「氧化鎵」晶圓,也是全球首次量產此第三代半導體晶圓。

氧化鎵別名是三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是種寬頻半導體,也是透明氧化物半導體材料,光電子零組件方面有多樣化應用前景,也用作鎵基半導體材料絕緣層,以及紫外線濾光片。

市場調查公司《富士經濟》2019 年 6 月 5 日《Wide Gap 功率半導體元件全球市場預測》報告表示,2030 年氧化鎵功率半導體市場規模將達 1,542 億日圓(約新台幣 393 億元),比氮化鎵功率元件 1,085 億日圓(約新台幣 276 億元)還大。

Novel Crystal Technology 量產的新一代晶圓,可使用原有 4 吋晶圓設備製造產品,不但降低投資成本,投資有效應用外,還可加速量產,預計 2021 年底開始供應晶圓。另資料顯示 Novel Crystal Technology 公司由日本電子零組件企業田村製作所和 AGC 等合資成立,主要研發與生產新一代半導體技術。

(首圖來源:Novel Crystal)