第三代半導體加速發酵,砷化鎵誰最快受惠?

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 22 日 14:35 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備 line share follow us in feedly line share
第三代半導體加速發酵,砷化鎵誰最快受惠?


國際碳化矽(SiC)基板大廠即將大舉擴廠,且將以 8 吋廠為主,預期 6 吋轉 8 吋進度加快,有利於碳化矽基板未來價格下降,讓終端應用加速打開。

以砷化鎵、三五族化合物半導體族群來說,若基板價格下滑、帶動客戶導入意願增加,目前已經通過國際大廠認證、開始穩定出貨的廠商,預期會最快受惠商機爆發,化合物晶圓代工龍頭穩懋已有穩定營收貢獻,市場預期能最快受惠。

基板價格高,關鍵長晶掌握國際大廠手中

第三代半導體製程與一般熟知的矽半導體一樣,製程從長晶製成基板、磊晶、晶圓代工再到封裝。

第三代半導體製程關鍵在於基板,由於基板技術掌握在國際大廠手上,以市占率來說,美國的Cree市占率就達六成,其他美國ii-vi及日本羅姆,各自市占率約一成多,前述三家市占率超過八成。寡占局面下,SiC基板價格居於高檔,不利打開應用市場開。

基板大廠即將大舉擴廠,有利基板價格下滑

不過基板大廠並不樂見SiC基板價格過高成為市場開拓的阻礙。以電動車來看,目前SiC價格比主流以矽為基礎的IGBT貴10倍以上;供應鏈指出,兩者價差如果縮小到3~5倍,市場導入的甜蜜點就會來到。

不過目前來看,價格甜蜜點可能會比預期快到來,主因國際基板大廠擴廠趨積極,目前SiC基板主要以6吋廠生產,隨著技術不斷突破,基板大廠明年將陸續大舉開出8吋基板產能。

以市占龍頭Cree來說,預計明年紐約8吋廠將投產,開出後產能會是目前兩倍,預計到2023年產能是目前三倍。Cree明確指出,大舉擴廠目標就是要降低基板成本,讓客戶用更低廉價格快速導入市場。

市場若加速發酵,台廠三五族誰最快受惠?

以三五族化合物半導體族群來說,若基板價格下滑帶動客戶導入意願增加,已通過國際大廠認證、穩定出貨的廠商,預期最快受惠商機爆發。

化合物晶圓代工龍頭穩懋在第三代半導體已有穩定營收貢獻,十年前即與客戶投入開發第三代半導體,應客戶需求,GaN on SiC有穩定出貨表現,應用5G基地台、衛星相關,占營收個位數比重由於基期還低,絕對金額成長幅度大,後續隨著SiC基板的價格可能下降,市場有機會提前打開,預期穩懋5G基地台、衛星相關需求持續成長帶動下,占比有機會穩定提升。

其他三五族如全新、宏捷科,第三代半導體與客戶認證中,或等待台灣基板廠突破技術、穩定量產基板,貢獻時間點較不明朗。

晶圓代工第二大廠宏捷科,主要與母集團中美晶旗下矽晶圓大廠環球晶合作開發第三代半導體。環球晶SiC基板會同時發展RF與Power兩大市場,RF會與宏捷科合作,Power應用會與同集團的車用二極體大廠朋程合作。

環球晶過往主攻矽半導體、客戶也多為矽半導體客戶,若與具備化合物半導體經驗與客戶群的宏捷科合作,環球晶SiC基板可在宏捷科品質認證,直接了解RF廠商需求。

環球晶目前第三代半導體以4吋廠生產為主,6吋廠研發還在進行,後續進度還需持續觀察。產業人士認為,宏捷科第三代半導體相關業務最快要至明年下半年才會逐步發酵。

至於磊晶廠全新,GaN on SiC磊晶打入台系國防工業應用客戶,並通過產品認證小量出貨。GaN on SiC應用5G基地台部分,目前兩間美系IDM客戶認證中,後續進度值得留意。

整體而言,台灣基板廠正與時間賽跑,壓力主要來自國際基板大廠擴廠腳步加速,應用市場可能比預期快打開,台廠供應鏈上游基板進度較不明朗,即使基板突破瓶頸實現量產,也要經客戶認證,營收發酵時間點也需要再觀察;相對地,若下游晶圓代工廠通過國際客戶認證穩定出貨,後續若基板價格甜蜜點到來,市場發酵,此類廠商將最快受惠於第三代半導體商機。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)