美國半導體大廠安森美半導體(ON Semiconductor)高層 5 月 16 日表示,該公司有意投資 20 億美元用於增產碳化矽(SiC)晶片。碳化矽為第三代半導體材料,具有低耗能、高功率的特點,對電動車延長續航力至關重要。
安森美攻第三大半導體,投資 20 億美元增產 SiC 晶片 |
作者 MoneyDJ|發布日期 2023 年 05 月 17 日 9:06 | 分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備 |
從光伏儲能應用角度看第三代半導體發展狀況 |
作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2022 年 05 月 12 日 7:30 | 分類 技術分析 , 會員專區 , 材料、設備 | edit |
隨著全球環境不斷惡化與化石能源耗盡,世界各國都紛紛找尋適合人類生存發展的新型能源,建設光伏儲能項目是當下實行能源轉型的重要措施。第三代半導體具有高頻、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性,能促進光伏儲能逆變器走向高效、高可靠性、低成本化,推動能源綠色低碳發展。