美光發表 232 層堆疊 3D NAND Flash,預計 2022 年底量產

作者 | 發布日期 2022 年 05 月 13 日 12:15 | 分類 IC 設計 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


美商記憶體大廠美光(Micron)台北時間 12 日發表業界首個 232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體,計劃 用於各種產品包括固態硬碟,2022 年底左右開始量產。

232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體採用 3D TLC 架構,原始容量為 1Tb(128GB)。記憶體基於美光 CuA 架構,並使用 NAND 字串堆疊技術,彼此頂部建立兩個 3D NAND 陣列。CuA 設計的 232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 尺寸,有望降低生產成本訂出更有競爭力的定價,或增加利潤。

美光並沒有宣布新 232 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體的 I/O 速度或平面數量,但暗示與現有 3D NAND Flash 快閃記憶體設備相比,新記憶體提供更高性能,對採用 PCIe 5.0 介面的下一代 SSD 特別有用。美光還強調 232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體比上一代產品更節省功耗,更具節能優勢。

美光的技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer 指出,已與第三方 NAND Flash 控制 IC 開發者密切合作,以支援新型記憶體。美光預計年底生產 232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體,採用新記憶體的固態硬碟將在 2023 年左右問世。

(首圖來源:美光)