外媒《Extremetech》報導，晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用，但隨著節點不斷縮小，FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出，準備好生產 2 奈米時，就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術，英特爾和三星也宣布類似計畫。
《EEtimes》報告討論台積電未來計畫，今年底開始 3 奈米量產，確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管，有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫，技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始，但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程，並宣布上半年量產。
比較台積電和英特爾量產時程，據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前，較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品，客戶自行整合，因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。
台積電不會短時間內開始量產 2 奈米製程，因預定 3 奈米製程將使用較長時間。業務開發資深副總經理張曉強指出，台積電 3 奈米製程將成為受歡迎節點，並是長節點，會有大量需求。但從 3 奈米到 2 奈米，因電晶體架構，奈米片對提高節能和計算效率有獨特優勢，觀察客戶產品，要求計算性能更高節能效果者，將首先轉向 2 奈米製程。屆時台積電還將與 2 奈米製程一起銷售 3 奈米製程。
三星已在進行 GAA 技術 3 奈米製程，似乎會使三星處於領先地位。然而市場分析師認為，太早脫離 FinFET 可能會嚇到高通和輝達等客戶，因只要有重大技術轉變，就很可能出問題，尤其產量時，可能刺激客戶停在 FinFET 技術 3 奈米製程，或等到 GAA 技術設計更成熟再採用，使台積電受惠可同時銷售 3 奈米和 2 奈米製程。
儘管如此，逐步脫離 FinFET 技術應使晶片晶體管密度和效率顯著進步。三星指出，與 7 奈米製程技術相比，3 奈米的奈米線設計晶體管密度提高 80%，還提高 30% 性能或提高 50% 節能效率。
(首圖來源：科技新報攝)
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