先進邏輯晶片與新世代記憶體產能擴張,特殊氣體面臨供應吃緊風險

作者 | 發布日期 2022 年 06 月 20 日 16:15 | 分類 晶片 , 材料、設備 , 零組件 line share follow us in feedly line share
先進邏輯晶片與新世代記憶體產能擴張,特殊氣體面臨供應吃緊風險


商業和技術資訊電子材料諮詢單位《TECHCET》報告表示,2021 年全球電子氣體市場營收達 63 億美元 (新台幣 1,891 億元),預計 2022 年再成長 8%,到 2026 年年複合成長率高達 9%。成長主因歸功於特種氣體需求,隨著領先邏輯晶片和新世代記憶體需求不斷增加,蝕刻、沉積、真空腔室清潔及其他應用的特種氣體需求將越來越多。

近期氦、氖等關鍵工業氣體有供應問題,長遠看隨著產業需求增加,三氟化氮 (NF3)、六氟化鎢 (WF6) 等氣體供需平衡可能逐漸改變。另外俄烏戰爭使工業氣體供應也面臨壓力,俄羅斯的氦氣和稀有氣體出口禁令將延長,造成氦和氖等稀有氣體供應短缺。戰爭只是氦氣短缺問題部分原因,還有設備維護、運輸物流、其他氦氣產區供應分配等都加劇供應鏈吃緊。

幾年內新半導體工廠全球設立投產,除了氦氣與氖氣,乙硼烷 (B2H6)、六氟化鎢 (WF6)、三氟化氮 (NF3)、四氟化碳 (CF) 等都可能出現供應壓力,因預計需求成長超過供應量。半導體製造提高晶圓廠生產能力,對光罩至關重要的乙硼烷 (B2H6) 需求也快速增加。

更多 CVD / ALD 沉積技術過程添加多圖形化和 EUV 微影曝光,使清潔需求也在增加。報告表示真空腔室清潔用三氟化氮快速成長,預測需求可能超過供應,導致 2025~2026 年三氟化氮供應將吃緊。

報告預估六氟化鎢也可能會在 2025~2026 年出現供應問題,因 NAND Flash 快閃記憶體正往更高堆疊術發展,鎢對源極接觸、汲極接觸之金屬填充、金屬閘極填充及閘極接觸都是必需材料。不過以鉬 (Mo) 取代鎢 (W) 有可能性,有機會避免六氟化鎢短缺問題。

(首圖來源:shutterstock)