韓媒:三星、SK 海力士憂美晶片法衝擊記憶體投資

作者 | 發布日期 2022 年 08 月 26 日 14:45 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 晶片 line share follow us in feedly line share
韓媒:三星、SK 海力士憂美晶片法衝擊記憶體投資


美國最近通過 2,800 億美元的《晶片與科學法案》(Chips and Science Act,CHIPS Act),限制接受資助的企業未來 10 年不得擴張或升級中國的先進晶片產能。韓媒體直指,南韓的三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)對此憂心忡忡,擔心美國晶片法可能衝擊記憶體投資。

南韓媒體Business Korea 26日報導,美國新通過的法案並未涵蓋成熟製程,但法案僅定義成熟晶片指的是28奈米以上製程,未說明究竟是記憶體晶片或非記憶體晶片。美國商務部稍晚應會提出更加清楚的定義。

據報導,若法令只針對非記憶體晶片設限,南韓晶片業者就能安全過關,因為三星、SK海力士都未在中國生產非記憶體晶片。目前三星在西安有座NAND型快閃記憶體廠、在州有座封裝廠。SK海力士分別在無錫、大連設有DRAM廠、NAND型快閃記憶體廠。

若美國法令同時對記憶體及非記憶體晶片設限,SK海力士將受到影響,因為無錫廠生產的是10奈米製程DRAM。三星的風險相對較低,因為對NAND型快閃記憶體而言,層數比奈米製程更重要。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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