美國才宣布制裁,長江存儲隨即量產 232 層堆疊 3D NAND Flash

作者 | 發布日期 2022 年 12 月 01 日 11:15 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
美國才宣布制裁,長江存儲隨即量產 232 層堆疊 3D NAND Flash


美國限制生產 128 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體的設備與技術出口中國後,現在消息指中國長江存儲 2022 年閃存峰會(FMS)將發表採用 Xtacking 3.0 架構、232 層堆疊的第四代 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體量產,品名為 X3-9070。相較上一代產品,X3-9070 有更高儲存密度及更快 I/O 速度。

Tech Insights 報導,長江存儲 X3-9070 除了用於 TiPlus7100 系列 SSD 固態硬碟,還被海康威視 CC700 2TB SSD 採用,是市場首個進入零售市場的超過 200 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體解決方案,領先三星、美光、SK 海力士等大廠。

長江存儲介紹,X3-9070 的 I/O 傳輸速率達 2,400MT/s,符合 ONFI 5.0 規範,相較上一代產品提高 50% 性能。受惠於 Xtacking 3.0 架構,X3-9070 成為長江存儲有史以來儲存密度最高的快閃記憶體,能更小單顆晶片達 1Tb(128GB)儲存容量。採用 6-plane 設計,相較一般 4-plane 性能提升 50% 以上,同時功耗降低 25%,能效比提高,成本也降低。

美光、SK 海力士和三星今年先後推出超過 200 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體解決方案。最早是美光,5 月就宣佈推出業界首款 232 層 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體,年底生產。採用 CuA 架構,使用 NAND 字串堆疊技術,初始容量為 1Tb(128GB)。接著 8 月 SK 海力士也宣佈成功研發全球首款業界最高堆疊層數 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體,並送樣合作夥伴。三星 11 月宣佈量產採用第八代 V-NAND 技術的產品,1Tb(128GB)TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體堆疊層數達 236 層。

(首圖來源:長江存儲)