SK 海力士推 8Gbps MCR 伺服器記憶體模組，較 DDR5-4800 傳輸快 80%

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣佈，已成功開發 DDR5 多通道合併陣列雙列直插記憶體模組（MCR DIMM），達成 8Gbps 資料傳輸速率。SK 海力士表示，這是業界最快的伺服器 DRAM 產品，相比普通的 DDR-4800 快 80% 以上。

SK 海力士採用全新方法提高 DDR5 資料傳輸速率。一般情況下，DDR5 的運行速度取決於單個 DRAM 晶片的速度，SK 海力士另尋方法，透過提高整個模組的速度來實現更高的速度，並非單個 DRAM 晶片。產品設計時以英特爾 MCR 技術為基礎，利用安裝於 MCR DIMM 資料緩衝器（data buffer）同時運行兩個記憶體列。

SK 海力士還介紹，傳統 DRAM 模組每次只能向 CPU 傳輸 64 個位元組的數據，而在 MCR DIMM 模組，兩個記憶體列同時運行可向 CPU 傳輸 128 個位元組的數據。這樣的設計使得每次傳輸到 CPU 數據量增加，數據傳輸速率提高到 8Gbps 以上，是單個 DRAM 的兩倍。

SK 海力士還與英特爾、瑞薩電子緊密合作，將自身 DRAM 模組設計能力與英特爾至強處理器、瑞薩電子的緩衝器技術融為一體，並加快了開發到性能驗證等各個階段的速度。SK 海力士預計，在高性能計算對於記憶體帶寬提升需求的驅動下，MCR DIMM 模組的市場將會逐步打開。SK 海力士計畫在未來量產該款產品，不過沒有透露具體的量產時間。

(首圖來源：SK 海力士)