SK 海力士展示 300 層堆疊 3D NAND Flash 原型，最快 2024 年問世

日前第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC)，南韓記憶體大廠 SK 海力士展示最新 300 層堆疊第八代 3D NAND Flash 快閃記憶體原型，令與會者大吃一驚。SK 海力士發表會標題為「高密度記憶體和高速介面」，描述如何提高固態硬碟性能，同時降低單 TB 成本。新 3D NAND Flash 快閃記憶體預定兩年內上市，有望打破紀錄。

外媒報導，SK 海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代 3D NAND Flash 開發，提供 1TB（128GB）容量，20Gb/mm² 單位容量、16KB 單頁容量、四個平面和 2,400MT/s 的介面。最大資料傳輸量達 194MB/s，較上一代 238 層堆疊和 164MB/s 傳輸速率的第七代 3D NAND Flash 高 18%。更快輸入和輸出速度，有助 PCIe 5.0 ×4 或更高介面利用率。

SK 海力士研發團隊說，第八代 3D NAND Flash 採用 5 項新技術。首先，三重驗證程式 (TPGM) 功能可縮小單元閾值電壓分佈，並將 tPROG（編程時間）減少 10%，轉化成更高性能。其次，採用 Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技術，再將 tPROG 降低約 2%。第三，APR 方案可將讀取時間降低約 2%，並縮短字線上升時間。第四，編程虛擬串 (PDS) 技術可藉由降低通道電容負載縮短 tPROG 和 tR 的界線穩定時間。最後，平面級讀取重試 (PLRR) 功能，允許不終止其他平面下，更改平面的讀取等級，立即發出後續讀取命令，提高服務質量 (QoS)，提高讀取性能。

由於新產品還在開發，SK 海力士尚未透露量產時間。儘管如此，分析師仍預估最早 2024 年有變化，最遲 2025 年出現。

(首圖來源：SK 海力士)