功率半導體占電動車能量損耗約 10%~15%,因此功率半導體為決定電動車能效關鍵,目前 SiC 於車用功率元件滲透率不到 15%,主因產能開出緩慢和價格昂貴,國際 IDM 大廠 Wolfspeed、STM、Rohm 已陸續規劃 8 吋 SiC 晶圓生產製造,預計將於 2023~2024 年量產,8 吋晶圓可生產晶粒數約 6 吋 1.8 倍,優良裸晶產量為 1.2~1.3 倍,6 吋 SiC 基板邊緣損耗率約整體 14%,若改用 8 吋 SiC 基板則可下降至 7%。
本篇文章將帶你了解 :隨8吋SiC晶圓量產與6吋產能持續放量,預期成本下降將帶動SiC車用功率元件滲透率提升 SiC功率半導體仍以IDM為主要趨勢,待2024年產能明顯釋放後有望轉向專業化分工