美國晶片法案補助提附帶條件，半導體企業面臨美中選邊站難題

華爾街日報報導，美國晶片法案規定，申請美國聯邦資金補助的半導體企業可能面臨艱難的決定，也就是接受美國的資金補助在美國擴產，或保留中國擴產。

美國拜登政府上週提出新規定，列出半導體企業接受美國納稅人稅金補助後，中國和其他受關注國家或地區業務將面臨的限制，讓企業高層、律師及國家安全分析師驚覺比預期更嚴格。限制半導體除了先進軍事武器系統的先進製程，也適用消費電子產品的傳統製程。

市場專家表示，新規定使許多公司對申請美國補助持保留態度，尤其在中國有大量業務的亞洲半導體企業，影響尤其嚴重。亞洲公司多半在中國投資數十億美元，如兩大記憶體商南韓三星和 SK 海力士，還有台積電。南韓貿易部長 Lee Chang-yang 最近表示，美國限制出口中國先進晶片和設備，將使南韓企業更難繼續投資中國。不過最後抉擇權仍取決於企業自己。

美國商務部長 Gina Raimondo 表示，拜登政府並不是要經濟上與中國脫鉤，希望美國企業可在中國繼續業務， 反之亦然。不過確實必須對風險睜大眼睛，中國已明確表示要取得美國先進技術用於其軍事領域，我們不允許這種情況發生。

Gina Raimondo 可能會在 2023 年秋天拜訪中國，保持與北京暢通溝通，並確保美國企業在公平環境與中企競爭。美國晶片法案補助主要對象的半導體企業，基本上都拒絕公開評論，但三星指一直與美國和南韓政府機構密切溝通，以確定下一步行動。

三星已在德州泰勒市斥資 170 億美元興建先進晶圓廠，去年也提出可能增加投資 2,000 億美元建設半導體生產基地計畫。台積電則斥資 400 億美元於亞利桑那州建造先進晶圓廠。SK 海力士也有美國新建先進封裝廠計畫，透過南韓和美國政府談判，中國營運不確定性已消除，將密切觀察美國政府動向。

美國晶片法案除了禁止獲補助廠商在中國先進製程擴產大超過 5%，成熟製程超過 10%，且時間長達 10 年，還限制與外國相關實體聯合研究和技術許可。但對半導體廠而言，中國營運據點代表多年投資，並生產相當大部分產品。三星在西安有 NAND Flash 快閃記憶體廠，蘇州有封裝廠，SK 海力士在無錫有 DRAM 廠，2020 年也收購英特爾的大連 NAND Flash 廠。台積電則在南京和上海各有晶圓廠。

市場研究及調查機構 TrendForce 研究數據顯示，截至 2022 年，三星西安廠約占全球 NAND Flash 16% 產量，SK 海力士無錫廠約占全球 DRAM 12% 產量，大連廠占全球 NAND Flash 6% 產量，台積電上海和南京工廠合計占總代工產能 6% 左右。若這些產線產量不穩定，不只衝擊企業營運，還會使全球產品供應鏈出問題。

(首圖來源：Pixabay)