DRAM 也進入 3D 時代！NEO 定 2025 年推 230 層堆疊 3D X-DRAM

全球 NAND Flash 快閃記憶體進入 3D 時代，使容量較 2D 時代大幅提升，但成本沒有增加多少。DRAM 記憶體還停在 2D 時代，需大容量 DRAM 就要付更多成本。美國 NEO 半導體宣布推出全球首款 3D DRAM 原型，為解決 DRAM 容量瓶頸。

NEO 是記憶體技術公司，之前就宣布推出 3D X-NAND 快閃記憶體，號稱解決 TLC、QLC 等快閃記憶體性能及耐用性問題。這次 3D X-DRAM 技術又號稱是全球首款 3D DRAM 技術，可將 DRAM 帶入 3D 時代，要做 DRAM 產業遊戲規則的改變者。

3D X-DRAM 技術邏輯與 3D NAND Flash 快閃記憶體類似，都是堆疊層數提高記憶體容量，類似 3D NAND Flash 晶片的 FBC 技術，增加一層光罩就形成垂直結構，有良率高、成本低、密度大幅提升等優點。

NEO 承諾 2025 年將推出第一代 3D X-DRAM 就有 230 層堆疊，核心容量 128Gb，相較 2D DRAM 記憶體核心容量還只是 16Gb，整整提升 8 倍容量。

NEO 還提出每 10 年將 3D X-DRAM 容量提升 8 倍的目標。2035 年時推出 1Tb 核心容量 3D X-DRAM，較現在 DRAM 核心容量達 64 倍提升。照 NEO 說法，未來記憶體不僅輕鬆從 TB 單位核心容量起步，要追上 3D NAND Flash 的發展也不是難事。

但 NEO 沒有晶圓廠，故 3D X-DRAM 生產要與有晶圓廠的公司合作，NEO 計劃尋找授權商如三星、SK 海力士、美光、威騰、鎧俠等。

(首圖來源：NEO)