比利時 imec(比利時微電子研究中心) 與根特大學(Ghent University) 宣布,300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構,為推動 3D DRAM 的重要突破。 繼續閱讀..
3D DRAM 材料瓶頸突破!比利時實現 120 層 Si / SiGe 疊層 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 08 月 25 日 11:45 | 分類 半導體 , 記憶體 |
國研院攜手旺宏電子,開發領先全球的新型 3D DRAM 記憶體 |
| 作者 Emma stein|發布日期 2025 年 02 月 25 日 16:28 | 分類 半導體 , 尖端科技 , 晶片 | edit |
