三星在美設新實驗室，研究下一代 3D DRAM 開發

韓媒《韓國時報》（The Korea Times）報導，三星已經在美國設立一間新實驗室，專注於開發下一代 3D DRAM。

消息人士透露，新實驗室位於矽谷的 Device Solutions America（DSA）部門，負責三星在美國的半導體生產，致力於開發升級版 DRAM，使三星引領全球 3D DRAM 市場。

三星去年 10 月表示，為 10 奈米以下的 DRAM 準備新的 3D 結構，實現更大的單晶片容量，可超過 100 gigabits。

3D DRAM 是指採用「3D」製程製造的 DRAM，透過將晶片、記憶體模組等堆疊，更好利用物理硬體限制。例如，3D 快取是在製造過程中堆疊普通 CPU L3 快取，提高載板記憶體容量。

三星在 3D DRAM 的工作有助於推動記憶體容量發展，而在 CPU 製造過程中採用 3D 堆疊技術增加 L3 快取，已證明是種有效方法，可顯著提高容量和性能，應對受限的工作負載。

三星繼續推進 3D DRAM 有助於整個運算市場，提升高階記憶體容量，降低入門級的成本，為 PC 硬體帶來重大進步，伺服器運營商有望先受惠。

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（首圖來源：三星）

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