三星、SK 海力士將在 3D DRAM 採混合鍵合，美光研究中

韓國記憶體晶片製造商三星和 SK 海力士預計在即將推出的 3D DRAM 中採用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術。

SK 海力士指出，將在 3D DRAM 生產中採用晶圓鍵合技術。晶圓鍵合也被稱為混合鍵合，即晶片垂直堆疊，通過矽穿孔（TSV）或微型銅線連接，I/O直接連接，沒有用到凸塊連接。根據晶片堆疊方式，還有分為晶圓到晶圓（wafer-to-wafer）、晶圓到裸晶（wafer-to-die）和裸晶到裸晶（die-to-die）。

3D DRAM 是 DRAM 的未來概念，即 DRAM 單元垂直堆疊，如現今 NAND 單元垂直堆疊一樣。三星和 SK 海力士計畫在不同晶圓上製造「單元」（Cell）和周邊元件（peripherals），再透過混合鍵合連接。

現在的 DRAM 在同一晶圓單元層兩側周邊元件，會使表面積擴大太多，因此在不同晶圓上分離周邊元件，有助於提高單元密度。

目前三星也在研究 4F Square DRAM，並有望在生產中應用混合鍵合技術。4F Square 是一種單元陣列結構，與目前商業化的 6F Square DRAM 相比，可將晶片表面積減少 30%。

至於另一間記憶體大廠美光先前在 COMPUTEX 記者會上表示，公司也正著手開發 HBM4，會考慮採用包括混合鍵合在內等相關技術，目前一切都在研究中。