知情人士透露,美國記憶體大廠美光將從日本政府獲得約 2,000 億日圓(約 15 億美元)獎勵資金,幫助日本製造下一代記憶體晶片。
彭博社報導,這筆資金將用於廣島廠安裝艾司摩爾(ASML)先進 EUV 晶片製造設備,生產 DRAM 晶片。
日本首相岸田文雄今(18 日)邀請台積電等半導體廠高層會談,包括台積電董事長劉德音、美光執行長 Sanjay Mehrotra,其他參與會談的還有三星、英特爾、應用材料、IBM 和比利時微電子研究中心(IMEC)。屆時可能會宣布這筆資金計畫。
日本政府為了強化本土的半導體製造能力,已斥資數十億美元鼓勵台積電赴日設廠,並資助日本土製造商 Rapidus,盼其 2027 年前製造 2 奈米晶片。
彭博社指出,與美光交易一事將使 EUV 設備首度導入日本,這也是日本政府尋求邁向尖端製造業的一步。
彭博社認為這筆交易也將是美光對中國的反擊,北京當局先前對美光發動科技產品的資安審查,做為美國拜登政府一系列出口限令的回應,這也影響到美光在中國的記憶體銷售。
美光廣島廠成美加強晶片供應鏈關鍵
與此同時,岸田文雄將於 5 月 19 日至 21 日在廣島接待 G7 領導人。研究公司 Omdia 分析師 Akira Minamikawa 認為,G7 打算加強半導體晶片供應鏈,美光廣島廠將在此發揮關鍵作用,因為它是美國公司最重要的地點。
據報導,美光會投資廣島廠的擴建工程,目前還無法得知具體數字,廣島市也將支持該專案。
自 2013 年以來,美光已在日本投資 130 多億美元,包括去年量產最先進 DRAM 技術「1-Beta」DRAM 晶片。據了解,最新資金將用於下一代的「1-gamma」製程技術,美光計劃 2024 年底推出,東京威力科創(TEL)、ASML 有望受惠。
今日早上東京威力科創(TEL)早盤漲達 6.4%,而另兩間日本設備商 Lasertec Corp. 和 Hoya 漲幅也超過 3%。
(首圖來源:美光)