日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas Electronics）將自今年開始投資碳化矽（SiC）功率半導體，目標 2025 年開始量產，起步雖慢於其他同業，不過瑞薩自信滿滿表示，一旦開始進行生產，事業將能順遂進展。
日經新聞、路透社、《日經xTECH》19日報導，瑞薩社長兼CEO柴田英利於19日在線上舉行的戰略說明會上表示，將自今年起開始投資SiC功率半導體，目標在2025年開始進行量產，將利用旗下目前已生產矽製功率半導體的高崎工廠的6吋晶圓產線進行生產，主因隨著電動車（EV）普及，帶動節能性能優異的SiC功率半導體今後需求有望顯著增長。瑞薩在去年11月就表明要進軍SiC功率半導體市場，此次則是首度明確說明投資戰略。
瑞薩現行採取的生產策略是運算用先進邏輯晶片等產品委由晶圓代工廠生產，而易於活用自家技術的功率半導體則靠自家工廠生產。而除了SiC外，瑞薩也將對現行EV採用的矽製IGBT等功率半導體進行積極投資，於2014年關閉的甲府工廠預計將在2024年上半年重新啟用，將生產矽製功率半導體。
在SiC功率半導體市場上，龍頭廠瑞士STMicroelectronics、德國英飛凌（Infineon）、日本三菱電機等廠商也正致力於投資，瑞薩起步可說是比較慢。不過對此，柴田英利表示，「在功率半導體上、我們起步非常慢。例如EV用IGBT現在的市占率推估為10%左右。但甲府工廠開始生產的話，（市占率）將可增至2倍、3倍。」
柴田英利自信的表示，「客戶對瑞薩IGBT的評價非常高、會將這些評價活用至SiC事業上。現在SiC市場仍小，但將來毫無疑問的會變得非常大。客戶對瑞薩SiC產品的詢問，即便是（尚未生產的）現在也非常強勁，2025年開始生產的話，事業將可順遂進行。」
和矽製功率半導體相比，SiC功率半導體擁有更優異的耐熱/耐壓性，電力耗損少，搭載於EV能提高續航距離，而除了EV外，來自蓄電池等再生能源領域的需求也看漲。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Renesas Electronics）
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