電動車（EV）需求加持，帶動碳化矽（SiC）功率半導體需求衝，2035 年市場規模預估將狂飆 30 倍。
日本市調機構富士經濟（Fuji Keizai）公布調查報告指出，因EV等車輛電動化需求、加上太陽能發電等再生能源普及，帶動2023年全球功率半導體市場規模（包含矽製產品和碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵等次世代功率半導體）預估將年增12.5%至3兆186億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2022年暴增4倍（飆增約400%）。
其中，2023年矽製功率半導體市場規模預估將年增11.0%至2兆7,833億日圓，2035年預估將擴大至7兆9,817億日圓、將較2022年增加2.2倍；2023年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增34.5%至2,354億日圓，之後市場規模將呈現急速擴大，預估2035年將達5兆4,485億日圓、將較2022年狂飆30.1倍。
就次世代功率半導體的細項來看，因以中國、歐洲為中心加速採用，帶動2023年SiC功率半導體市場規模（包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組）預估將年增34.3%至2,293億日圓，之後隨著車輛電動化、再生能源普及，帶動市場有望呈現急速增長，2035年預估將擴大至5兆3,300億日圓、將較2022年狂飆30.2倍；2023年GaN功率半導體市場規模預估將年增32.6%至57億日圓，2035年預估將擴大至740億日圓、將較2022年暴增16.2倍；2023年氧化鎵功率半導體市場規模預估為4億日圓、2030年有望擴大至445億日圓。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
