英特爾先進製程發展來勢洶洶，目標超越三星搶市場二哥

英特爾重返全球晶圓代工市場，雖然短期間內無法超越龍頭台積電，但是英特爾仍將目標鎖另一競爭對手──三星，期望能先一步超越，預計 2024 年搶下全球晶圓代工市占排行老二。英特爾即將推出 1.8 奈米 Intel 18A 製程，除了展現實力，也宣示超越三星的決心。

南韓媒體 BusinessKorea 報導，市場人士表示，英特爾 19 日在加州聖荷西舉辦 Intel Innovation 2023，發表首款採 1.8 奈米 Intel 18A 節點晶圓原型，2025 年發表 Intel 18A 節點 Panther Lake 系列處理器。

2021 年領導公司後，英特爾執行長 Pat Gelsinger 就設定四年內達成五種先進製程目標，有 10 奈米級 Intel 7、7 奈米級 Intel 4、4 奈米級 Intel 3、2 奈米級 Intel 20A 和 1.8 奈米級 Intel 18A。英特爾已完成 Intel 4 製程，年底前完成 Intel 3 準備工作。

如果英特爾按計畫在 2025 年成功開始量產 1.8 奈米級的產品，它將在先進半導體製程方面超越三星電子。目前已量產 3 奈米製程的三星，因為計劃於 2025 年開始才全面生產 2 奈米製程，其所生產的晶片將主要用於行動產品上。之後，三星的 1.4 奈米製程則勢預定在 2027 年開始量產，其雖然製程技術超越英特爾的 Intel 18A 的節點製程。但是，仍不能掩蓋英特爾搶先量產 2 奈米級節點製程的事實。

報導引用南韓市場專家說法，三星無法忽視英特爾想超車，但仍是艱鉅挑戰，因市場對英特爾先進製程能否確保良率有疑問。英特爾 7 奈米遭遇瓶頸，如良率不佳，使英特爾 2018 年退出代工業務。近年英特爾代工都專注自家產品，品質和良率能否滿足客戶需求還不確定。

先進製程良率方面，三星將比英特爾更具優勢。三星已將 GAA 技術用於 3 奈米製程，且累積不少專業知識。英特爾計劃 Intel 20A 產品採自家類似 GAA 的 RibbonFET 技術，但 Intel 20A 計畫要到 2024 上半年才開始，良率還需一段時間提升，要與三星競爭恐怕還有差距。

(首圖來源：視訊截圖)