長江存儲出貨 232 層 3D NAND Flash,拉近與國際大廠差距

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 01 日 7:20 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
長江存儲出貨 232 層 3D NAND Flash,拉近與國際大廠差距


韓媒報導,中國記憶體公司長江存儲(YMTC)成功開發量產 232 層 3D NAND Flash 快閃記憶體。

南韓媒體 BusinessKorea 報導,半導體分析公司 TechInsights 報告透露,2022 年 7 月悄悄推出的智泰 600 1TB 消費級固態硬碟(SSD)於 10 月 25 日發現長江存儲生產的 232 層 QLC 3D NAND Flash。

韓國 SK 海力士 NAND Flash 最大層數為 238 層,三星未透露層數,但據傳約 236 層。以長江存儲生產 232 層 QLC 3D NAND Flash 來說,技術已追上世界級記憶體廠商。

NAND Flash 是即使斷電也能保留數據的記憶體,需先進堆疊技術,以垂直分層單元增加資料容量,單位體積內堆疊層數越多,可容納數據就越多,是 NAND Flash 競爭力的關鍵。TechInsights 未評論長江存儲 3D NAND Flash 是否完全使用中國設備或零件生產。

此為華為 Mate 60 Pro 採用中國中芯國際 7 奈米製程生產的麒麟 9000S 處理器後,又一新半導體產品,代表中國似乎克服貿易制裁,開始建立自己的半導體供應鏈。

《南華早報》報導,美國制裁期間,長江存儲使用國產設備生產 3D NAND Flash,TechInsights 2022 年 11 月報導,長江存儲生產全球首款超過 200 層 3D NAND Flash,領先三星、SK 海力士和美光等國際大廠。TechInsights 發現,中國生產 3D NAND Flash 技術已拉近差距。

(首圖來源:長江存儲)