外媒 Moneytoday 報導,韓國記憶體大廠 SK 海力士 1 月中旬結束 HBM3E 開發,順利完成輝達(NVIDIA)歷時半年性能評估,3 月將投產五代 HBM3E 高頻寬記憶體,下個月供應輝達首批產品。
半導體開發為 Phases 1~9 九階段,SK 海力士已完成所有階段開發,進入最後增產(ramp-up),代表現在起生產的 HBM3E 都是可交貨成品。
除 SK 海力士外,競爭對手三星和美光也提供 HBM3E 樣品,但要到 3 月才開始最後品質認證測試,較 SK 海力士至少晚了兩個月。
這批 HBM3E 將用於輝達下代 Blackwell 系列 AI 晶片旗艦產品 B100,輝達計畫第二季末或第三季初推出產品。輝達已在 AI GPU 市場有超過 90% 以上市占率,記憶體市場 SK 海力士則有全球 HBM 一半以上市占率,更 100% 壟斷 128GB DDR5 大容量 DRAM 市場。SK 海力士與輝達合作,頗受市場看好推升 AI 晶片發展。
(首圖來源:SK 海力士)