美光宣布新 1-gamma 製程 DRAM 已試產

美商記憶體大廠美光在台北時間 21 日發表截至 2 月 29 日 2024 財年第二季財報，DRAM 和 NAND Flash 等產品未來與現狀介紹。DRAM 方面，美光導入 EUV 製程下代 1-gamma 製程 DRAM 已試產，下代 NAND Flash 快閃記憶體開發也按計畫進行，目標 2025 年達成量產目標。

美光表示，四分之三 DRAM 記憶體顆粒仍在 1-alpha / beta 節點生產，NAND Flash 快閃記憶體則有 90% 產能位以 176  / 232 層製程生產。應用分析，傳統伺服器記憶體，美光業界率先完成單層結構的 32GB 晶片 128GB 伺服器記憶體驗證，預計半年內記憶體模組就可達數億美元營收目標。達更高速率 MRDIMM 產品，美光宣布開始驗證 256GB 單條。

LPCAMM2 模組產品，美光表示伺服器產業也採用，保持 LPDDR 高頻寬、低功耗優勢同時，也能擁有可插拔特性。伺服器 LPCAMM2 模組容量可達 128GB。

消費性存儲產品方面，美光表示消費性固態硬碟產品 QLC 顆粒出貨量創新高，占整體出貨量三分之二，鞏固消費性 QLC 固態硬碟領導者地位。美光 2022 年初就推出 OEM / SI 的 2400 系列 PCIe Gen4 QLC 固態硬碟，消費級品牌也於同年 9 月推出 P3（Plus）固態硬碟，部分採 QLC 記憶體。

(首圖來源：科技新報攝)