晶片大廠英特爾公布晶圓代工業務詳細資訊，為拆分晶圓代工的重要關鍵，為獨立單位，相關部門統計與核算都獨立。
英特爾執行長 Patrick Gelsinger 表示，2024 年英特爾的晶片製造將利用人工智慧等先進技術，優化最新製程以提高利潤和晶片品質。而其晶圓代工業務將改善晶片製造的關鍵步驟，例如晶片交付速度和測試時間，以提高利潤，並贏回以前依賴第三方代工晶片製造的訂單。
Patrick Gelsinger 指出，這一改變還促使英特爾將晶片製造拆分成一個名為「英特爾晶圓代工」的新獨立單位，未來將獨立送交美國證券交易委員會 (SEC) 的財務報表，使投資者能夠單獨查看「英特爾晶圓代工」的生產成本和整體產品開發成本。此動作也代表英特爾在製程技術落後於台積電後，重新奪回晶片製造業領導地位的決心。
Patrick Gelsinger 指出，目前台積電正在量產 3 奈米製程技術，而 intel 18A 是英特爾針對台積電下一代 2 奈米製程技術的競爭。目前英特爾已經收到了 5 家客戶的訂單承諾，並為這項特定的製造技術測試了十幾顆晶片。他先前曾經表示，他已將公司未來的成功賭注在intel 18A 製程技術上，英特爾 2024 年也將生產第一顆 intel 18A 測試晶片。
Patrick Gelsinger 強調，新的業務模式將在晶圓代工投資和產品部門之間建立聯繫管道，為英特爾產品設定一個公平的市場晶圓價格。英特爾晶圓代工的製程技術將藉由快速改朝換代，以重新奪回技術領導地位。尤其，在經歷了晶片市場動盪和成本飆升的幾年之後，英特爾高層對 2024 年晶圓代工業務的前景抱持樂觀態度。相信到 2030 年之際，英特爾晶圓代工將成為全球第二大代工企業，並將受惠新一代極紫外 (EUV) 曝光技術所帶來的獲利提升。
Patrick Gelsinger 進一步指出，英特爾晶圓代工業務目前簽訂的合同總價值為 150 億美元，新的成本架構和 EUV 技術的優勢將幫助英特爾在 10 年內將產品部門的營業利益率維持在 40%。Patrick Gelsinger 也展示了英特爾代工未來的技術發展路線圖。根據製程技術發展路線圖，英特爾目標到 intel18A 製程技術量產之際，重新成為全球第一流的晶圓代工廠，並在 intel 14A 製程技術上確立領先地位。
英特爾指出，在功耗方面，目前已有的 Intel 7 製程技術雖落後於競爭對手，但英特爾計劃於近期的 Intel 3 製程技術能與產業領先企業 （台積電） 相當，同時在未來的 intel 18A 製程技術上達到略好於競爭對手的水準，並於 intel 14A 製程技術上確認領先優勢。
至於，在電晶體密度方面，目前的 intel 7 製程技術仍存在明顯劣勢。因此，英特爾希望藉由 intel 3 製程技術縮小差距，並在 intel 18A 製程技術上追上競爭者，而在 intel 14A 製程技術上可獲得較小的密度優勢。另外，intel 7 製程技術的晶圓成本明顯高於業界水準，英特爾希望透過從 Intel 3 到 intel 14A 的演進，逐漸達到較低的晶圓成本。同時，未來數年將見證英特爾製程技術目標市場的擴展，到 intel 14A 製程技術之際，英特爾將可對外代工行動端的產品。
英特爾還強調，將逐步彌補在傳統 IDM 模式下對外部 EDA 支持的欠缺，將設計便捷度提升到業界平均水準。此外，英特爾還將進一步擴大在 2.5D / 3D 等先進封裝技術上的優勢。而做為針對 AI 時代的系統代工廠，英特爾表示將通過多個層面的創新，使得摩爾定律繼續前進。
除了晶片本身的製程技術發展，英特爾在周邊支援的技術方面，也做了相關的規劃。在連結介面方面，除了適用於 AI 的網卡和晶片 UCIe 互連之外，英特爾還將著重在矽光子技術，並豐富在 PCIe、SerDes 領域的技術儲備。此外，英特爾目前可透過浸沒式液冷冷卻 1000W TDP 的晶片，目標到 2030 年實現對 2000W 晶片的冷卻。
先進記憶體發展，英特爾目前可通過 EMIB 連接 8 個 HBM 堆疊，未來該能力將提升至 12 個堆疊，乃至更多的技術之外，同時英特爾也在研究更新的記憶體解決方案。最後，針對大家所關先的先進封裝技術，在Foveros 3D Direct 先進封裝上，英特爾目標到 2027 年左右實現 4 微米的連接間隙。英特爾此次還提出了更詳細的玻璃基板應用時間，這項技術的運用有望於 2027 年展開。
(首圖來源：英特爾)
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