大幅縮短記憶體進程！傳長鑫存儲開始量產 HBM2

市場消息傳出，中國記憶體大廠長鑫存儲開始量產 HBM2 記憶體，若消息屬實，比預期時間早約兩年，但未確定 HBM2 良率。

外媒 Tom′s Hardware 報導，長鑫存儲開始採購製造 HBM 設備，大概需一至兩年才能量產。長鑫存儲已向美國和日本供應商訂購設備，美國公司應材和科林研發（Lam Research）都獲出口許可。

HBM2 每訊框傳輸速率約為 2~3.2GT/s，生產產品不需最新曝光技術，但需先進封裝。首先，使用矽穿孔（TSV）垂直連接記憶體零組件過程已經相當複雜，還需要將 HBM KGSD（已知良好晶粒堆疊）模組進行封裝，比 10 奈米製程傳統 DRAM 晶片更複雜。

長鑫存儲 DRAM 仍落後美光、三星和 SK 海力士，後三者開始量產 HBM3 及 HBM3E，準備幾年內推進至 HBM4。

華為 Ascend 910 系列處理器為 HBM2 記憶體，對中國來說，HBM2 是先進 AI 和 HPC 處理器的關鍵，本地製造更是件大事。

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（首圖來源：長鑫存儲）

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