中國先進晶圓清洗機制造商盛美半導體用於扇出型面板級封裝（FOPLP）應用的突破性新型 Ultra C bev-p 面板邊緣刻蝕設備，專為銅相關製程中的邊緣刻蝕和清洗設計，能同時處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕，顯著提升製程效率和產品可靠性。
盛美董事長王暉表示，扇出型面板級封裝的地位日益凸顯，原因在於該項技術能滿足現代電子應用不斷發展的需求，在整合密度、成本效率和設計靈活性方面具有顯著優勢。得益於濕法製程的深厚技術專長，盛美新型 Ultra C bev-p 設備性能卓越，屬於首批可用於面板級應用的雙面邊緣刻蝕設備。
盛美半導體指出，Ultra C bev-p 設備採用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計的濕法刻蝕製程，在扇出型面板級封裝技術中發揮至關重要的作用。該製程有效避免電氣短路、最大限度降低污染風險、保持後續製程步驟的完整性，有助於確保器件經久耐用。該設備的高效性主要得益於盛美的專利技術，以應對方形面板襯底所帶來的獨特挑戰。
與傳統的圓形晶圓不同，盛美半導體表示，公司獨特設計可實現精確的去邊製程，確保在翹曲面板的加工過程僅限於邊緣區域。這一專利技術對於保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進半導體技術所需的高性能和可靠性至關重要。
根據 Yole Intelligence 報告，扇出型面板級封裝技術呈飛速發展態勢，其市場逐漸走向成熟。該分析公司預測，2023-2028 年複合年增長率（CAGR）將達到 32.5%，即自 2022 年約 4,100 萬美元增至 2028 年 2.21 億美元。
（首圖來源：pixabay）
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