全球最大的記憶體廠商三星宣佈，已開始量 1Tb QLC 的第九代 V-NAND 記憶體，這是全球第一家使用這項新技術開始量產記憶體晶片的公司。
根據韓國媒體報導指出，繼 2024 年 4 月製造出全球首款 TLC 的第九代 V-NAND 記憶體之後，三星也已開始量產 QLC 第九代 V-NAND 記憶體。而憑藉這一領先業界動作，三星鞏固了其在高容量和高性能記憶體晶片領域的領導地位。另外，為了達成這一目標，三星推出多項新技術和新製程，包括通道孔蝕刻、設計模具、低功耗設計，以及預測程式等。
其中，在通道孔蝕刻的部分，該技術用於堆疊層，然後創建一個通道孔，電子可以藉由該孔移動。這種雙層堆疊結構使記憶體有了更高的儲存密度。與上一代 QLC 技術相比，其位元密度提高了86%。而在設計模具方面，控制操作單元，也就是控制電晶體開啟和關閉狀態佈線的間距，將它們層壓以優化和統一單元，藉以透過將數據保留率提高 20% 來提高可靠性。
至於，預測程式則是預測單元狀態的變化，並最大限度的減少不必要的單元操作。利用這項技術，三星分別將讀取和寫入數據時的功耗分別降低 30% 和 50%。而有了以上的幾項新技術，其所生產出的 QLC 第九代 V-NAND 記憶體，三星計畫未來將使用這些 QLC V-NAND 記憶體來製造消費性和伺服器應用 的SSD，以及用於行動設備的 UFS 儲存。
三星電子執行副總裁兼快閃記憶體產品與技術負責人 SungHoi Hur 表示，在 TLC 版本推出僅四個月後，QLC 第 9 代 V-NAND 隨即成功量產，這使三星能夠提供全系列先進的 SSD 解決方案，滿足 AI 時代的需求。隨著企業級 SSD 市場快速成長，對 AI 應用的需求不斷加強，三星也將繼續藉由 QLC 和 TLC 的第 9 代 V-NAND 記憶體來鞏固三星在該領域的領先地位。
(首圖來源：三星)
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