ASML：High NA EUV 組裝加速，英特爾裝完第二套

ASML 新任執行長 Christophe Fouquet 出席 SPIE 大會演講時，介紹 High NA EUV 曝光機，也確認英特爾第二套 High NA EUV 曝光機組裝完成。

Christophe Fouquet 表示，High NA EUV 將不太可能像標準 EUV 延遲交貨，因 ASML 找到組裝掃描器子組件的新方法，就是直接在客戶工廠安裝，無需經歷拆卸及再組裝，大大節省 ASML 與客戶的時間和成本，有助加速 High NA EUV 發貨和交貨。

Christophe Fouquet 後上台的是英特爾院士兼曝光技術總監 Mark Phillips，英特爾已在波特蘭工廠完成安裝兩套 High NA EUV 系統。Mark Phillips 還說明相對標準 EUV 的改進，High NA EUV 應用改善結果可能要比想像還要多。

Mark Phillips 強調，已有經驗故第二套 High NA EUV 系統安裝速度比第一台更快。High NA EUV 所有基礎設施已到位並運行，High NA EUV 光罩檢測按計畫開始。英特爾無需太多輔助支援即可投產。

Mark Phillips 被問到 CAR（化學放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑問題。他說 CAR 還夠用，但將來某時候需要金屬氧化物光阻劑，英特爾目標是要 Intel 14A 製程能在 2026~2027 年量產，屆時製程會再提升。

(首圖來源：英特爾)