傳台積 2 奈米良率達 60%！Pat Gelsinger 嗆「用 % 比較不恰當」

研究半導體公司的金融分析師 Dan Nystedt，在社群平台 X 分享業界傳出台積電 2 奈米試產良率超過 60% 的消息，不久便引來剛從英特爾退休的前執行長 Pat Gelsinger 回覆，稱「良率用 % 比較並不恰當」，認為這說法是根本不了解半導體良率。

Dan Nystedt 指出，媒體引述供應鏈人士的話，台積電 2 奈米製程試產良率超過 60%，也超越預期，明年量產。製程由台積電新竹寶山廠開發，準備就緒後將轉移至高雄廠。台積電 2 奈米首次導入 Nanosheet 架構，比 3 奈米 FinFET 架構更複雜。

發文後沒多久，Pat Gelsinger 便在下方留言「良率用 % 比較並不恰當」，因大晶粒（die）良率較低，較小晶粒良率百分比較高，「任何不定義晶粒尺寸說法，用百分比為半導體健康度量標準，都是不了解半導體良率的表現。」

speaking about yield as a % isn’t appropriate. large die will have lower yield, smaller die – high yield percentage. Anyone using % yield as a metric for semiconductor health without defining die size, doesn’t understand semiconductor yield. yields are represented as defect…

— Pat Gelsinger (@PGelsinger) December 7, 2024

而 Gelsinger 反駁，有些網友贊同，但也有人問「所以英特爾的良率？」「這就是為何他們決定讓你退休的原因」、「如果台積電總是用最佳晶片尺寸，這不是很公平嗎？」也有人說「最佳晶片尺寸不存在，如果晶片尺寸接近 0mm²，良率會接近 100%。」

先前南韓媒體傳出，英特爾 18A 製程良率不到 10%，這也讓 Pat Gelsinger 跳出來直指謠言有誤，並為 TD 和 18A 團隊取得的傑出成果與進展感到無比自豪。

thank you Pat for helping to set the record straight. I’m so very proud of the TD/18A team for the incredible work and progress they are making.

— Pat Gelsinger (@PGelsinger) December 7, 2024