為因應用於人工智慧 （AI） 的半導體需求大幅成長，SK 海力士、三星、以及美光都加大了在高頻寬記憶體 （HBM） 領域的開發力道，加速推進第六代 HBM，也就是 HBM4 產品的開發。隨著 HBM 的改朝換代速度加快，第七代 HBM 產品 HBM4E 的開發也出現在了發展計畫上。
日前，美光就分享了最新的 HBM4 和 HBM4E 的開發情況。其中，HBM4 有望在 2026 年量產，HBM4E 也會在 2027 年至 2028 年之間亮相。住些 HBM 產品除了提供更高的資料傳輸速度之外，HBM4E 還將採用客製化的基礎晶片，這代表著產業模式的轉變。
美光總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 表示，HBM4E 將帶來記憶體業務的模式轉變，其因為採用了台積電先進的邏輯代工製程技術，為某些客戶客製化邏輯基礎晶片，這預計將能帶美光業績保線的改善。
不過，目前暫時還不清楚美光的基礎晶片設計，其除了基本的功能外，可能還會有甚麼樣的功能。根據市場預期，美光新一代的基礎晶片將有增強的暫存、為特定應用程式 （如 AI、HPC、網路等） 所量身訂做的自行定義介面協議、記憶體到記憶體傳輸功能、可變介面寬度、先進電壓縮放和供電控制，以及自行定義 ECC 與安全性演算法等。由於涉及到標準方面的問題，也尚不清楚 JEDEC 標準是否支援此類客製化內容。
美光表示，當前 HBM4E 的開發工作順利，已經與多個客戶進行合作，可以預期會採用不同的基礎晶片和配置，達成客製化設計的目標。同時，美光在 HBM4E 部分還可能支援 Marvell 的客製化 HBM 運算架構，以便更好得客製化各種 XPU 和 HBM 解決方案。
此外，美光的 HBM4 將採用第五代 10 奈米製程技術的級別 1b 製程來生產，預計用於輝達的 Rubin 和 AMD Instinct MI400 系列 GPU 上。這相較於競爭對手 SK 海力士和三星都傾向於採用更為先進的第六代 10 奈米製程技術的級別 1c 製程來生產，其市場競爭優勢有待考驗。
(首圖來源：shutterstock)
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