隨著生成式 AI 技術的快速發展，中國在記憶體市場的影響力不斷提升。無論是供應還是需求端，未來的增長潛力都值得關注。調研機構 Counterpoint Research 最新報告指出，中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）正透過技術進步與市場拓展，逐步縮短與全球領先企業的差距，儘管仍面臨技術瓶頸與美國對中國法規的挑戰。
中國 DRAM 市場成長，長鑫存儲將在 2024 年占全球 DRAM 總產能 13%、出貨量 6% 和營收 3.7%，並預計在 2025 年產能接近美光。長鑫存儲目前產量和營收較低的原因在於技術落後、良率低以及定價，預期這個差距將逐漸縮小。
此外，長鑫存儲在 2024 年每片晶圓的產量比競爭者少 42%，預計到 2025 年縮小至 32%。Counterpoint Research 指出，長鑫存儲需要成功實現高介電金屬閘極（HKMG）電晶體，以改善功耗和速度。雖然 LPDDR4 良率約 80%，但該公司 2025 年的策略性產品 DDR5 良率尚未超過 50%。
目前長鑫存儲已進入需要低功耗製程的行動市場，充分利用中國市場。Counterpoint Research 預期 生成式 AI 與電動車市場的發展為中國記憶體產業帶來新機遇，特別是在中低階產品市場。由於美國的設備法規，中國正努力利用 3D 技術或透過關鍵零組件和材料的本地化來縮小差距。中國對中國記憶體產業的設備出口限制雖挑戰，但促使中國加速設備與材料本土化，未來 1-2 年內擴展中國設備本地化仍具挑戰。
Counterpoint Research 研究總監 MS Hwang 指出，中國記憶體產業的崛起可能改變全球市場格局。儘管目前技術與良率方面仍存挑戰，但隨著生成式 AI 與電動車等新興應用帶來需求增長，中國有望在中低階市場建立穩固地位。同時，持續的技術創新與國際化策略，將成為中國記憶體產業突破瓶頸的關鍵。
（首圖來源：長鑫存儲）
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