俄羅斯成功完成首套國產曝光機，但這是 30 年前的技術

來自莫斯科的澤列諾格勒奈米技術中心（Zelenograd Nanotechnology Center，簡稱 ZNTC）與白俄羅斯半導體製造設備廠商 Planar 已開發俄國第一套可支援 350 奈米級製程技術（0.35 微米）的曝光系統。

據悉，該機器已通過官方檢驗，正在澤列諾格勒進行整合測試。雖然這個系統具有象徵意義，但設計已經落伍數十年，能否量產仍是未知數。

ZNTC 的微影設備是在一年前正式發表，採用 200mm 矽晶圓，並搭載固態雷射光源，曝光區域為 22mm×22mm（484 mm²）。不過 ZNTC 與 Planar 並未透露當中的關鍵技術細節，包括雷射波長與功率，但強調該機台採用高節能的「固態」雷射，具備更窄的發射範圍與更長的運行壽命。

值得注意的是，使用固態光源可能是相當重要的特點，這與全球主要半導體設備製造商的產品有區別，也暗示 ZNTC 未來的技術發展方向。

固態雷射廣泛應用於半導體製造，但不是用於先進製程的主要技術，反而是做為輔助製程，如晶圓檢測、缺陷分析、標記（Marking）及微加工（Micromachining）等應用，包括晶圓切割（Wafer Dicing）或元件修整（Trimming）。

此外，運行於約 365nm 波長的固態雷射（如三倍頻 Nd:YAG 雷射）也可用於成熟製程，因為它們穩定、高效且可靠。有趣的是，ZNTC 表示，正在研發一款支援 130nm 級製程技術的微影系統，預計將於 2026 年完成開發。

與 ASML 200mm 類似設備相比

ASML 為 200mm 晶圓設計的微影設備，可支援 350nm 至 130nm 範圍內的製程技術，依據不同的微影機型與製程節點需求，傳統上採用兩種主要的紫外線（UV）光源類型，分別為汞弧燈（Mercury Arc Lamps）以及 KrF（氟化氪）雷射或 ArF（氟化氬）雷射。

至於 350nm 及較不先進的製程，ASML 的 i-line 步進機主要使用汞弧燈（波長 365nm）當到 250nm 及更先進製程時，ASML 採用 KrF 雷射（波長 248nm）；到 130nm 節點時，ASML 深紫外（DUV）微影系統則改用 ArF 雷射（波長 193nm）。

不過外媒認為，從現今標準看，350 奈米級製程技術（0.35 微米）的曝光系統已經是過時技術，英特爾和 AMD 早分別在 1990 年代中期採用這項技術。

即使是俄國晶片製造商，如 Angstrem 和 Mikron 也不再使用 350nm 製程，主要是使用 250nm 至 90nm 之間的製程，而且目前主要透過走私購買 ASML 的 PAS 5500 系列曝光設備。目前看來，ZNTC 新系統只能適用本土生產商的非關鍵層製程，或者作為車用電子、電源管理 IC 甚至是軍事應用等成熟製程領域。

不過，ZNTC 目前正在研發一款支援 130nm 級製程技術的新機型，預計 2026 年完成開發。這款設備是俄羅斯政府長期技術發展計劃的一部分，目標 2025 年底達成 90nm 製程、2027 年進入 28nm，並在 2030 年實現 14nm 製程。