外媒報導，NEO Semiconductor 宣布推出一項新技術，希望徹底改變 DRAM 記憶體的現狀。該公司推出了兩款新的 3D X-DRAM 單元設計，包括 1T1C 和 3T0C，其單電晶體單電容和三電晶體零電容的設計，預計將於 2026 年生產概念驗證測試晶片，並將提供當前一般 DRAM 模組 10 倍的容量。
根據 Tom’s Hardware 的報導，藉由 NEO 現有的 3D X-DRAM 技術，新發表的技術據稱能夠在單一模組上容納 512 Gb（64 GB） 容量，這比目前市面上任何模組至少多 10 倍。而在 NEO 的測試模擬中測得了 10 ns 的讀/寫速度以及超過 9 分鐘的保留時間，這兩項效能也領先當前 DRAM 的能力。
報導表示，於採用了基於氧化銦鎵鋅 (IGZO)- 一種因其在顯示技術中的應用而聞名的晶體材料的設計，1T1C 和 3T0C 單元可以像 3D NAND 一樣構建，也就是採用堆疊設計，可以提高容量和吞吐量，同時保持節能的狀態。這些儲存單元採用改進的 3D NAND 製程設計，NEO 希望現有的 3D NAND 製造設施能夠快速輕鬆的升級，並且生產新設計的產品。
NEO 執行長 Andy Hsu 表示，隨著 1T1C 和 3T0C 3D X-DRAM 的推出，我們正在重新定義記憶體技術的可能性。而且，這項創新突破了當今 DRAM 的擴展限制，並使 NEO 成為下一代記憶體的領先者。
NEO Semiconductor 預計將於本月在 IEEE IMW 上分享更多有關 1T1C、3T0C、以及其他 3D X-DRAM 和 3D NAND 系列產品的資訊。隨著採用 FeRAM 的 DRAM+ 等公司和技術也在爭奪 DRAM 技術的下一帶發展，這使得 SK 海力士等大型供應商也樂於開發更大的標準 DRAM。即便當前 3D X-DRAM 面臨著挑戰，但仍舊引起大家的關注。
(首圖來源：NEO Semiconductor 官網)
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