挑戰 5 奈米單次曝光！ASML 攜蔡司研發新一代 Hyper NA EUV 設備

全球最大半導體設備龍頭 ASML 已著手研發下一代先進微影設備，為未來十年的晶片產業做準備。該公司技術執行副總裁 Jos Benschop 向日經指出，這項技術足夠先進，可滿足 2035 年之後的製程需求。

Jos Benschop 表示，ASML 及獨家光學合作夥伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在單次曝光中印刷出解析度精細到 5 奈米電路的機器設計，並補充這項技術將足以滿足 2035 年及之後的產業需求。

ASML 最近才開始出貨業界最先進設備，已可達到單次曝光 8 奈米解析度。相較之下，較舊設備須多次曝光才能達到類似解析度，不僅效率較低，製造品質也不一定。

Benschop 指出，「我們正與蔡司進行設計研究，目標是實現數值孔徑（NA）0.7 或以上的系統，目前尚未設定具體上市時間表」。

數值孔徑（NA）是衡量光學系統收集與聚焦光線能力的關鍵指標，也是決定電路圖樣能否精細投影到晶圓上的關鍵因素。當 NA 越大、光波長越短，印刷解析度就越高。

目前標準 EUV 設備的 NA 為 0.33，最新一代 High NA EUV 則提升至 0.55。而 ASML 正朝向 NA 0.7 或「超高 NA（Hyper NA）」邁進，需要重新設計幾個關鍵系統。

ASML 目前已向英特爾、台積電交付首批 High NA EUV 設備，不過 Benschop 表示，大規模採用仍需時間，產業界必須先驗證新系統的性能，並開發配套材料與工具，才能全面啟動，「這次新設備的導入與歷年來推出的創新工具情況類似，通常要幾年後才會進入大量產出階段。客戶需要學習如何操作，但我相信它很快會被用於高產能的晶片製造流程中」。

• ASML commits to developing even more advanced chipmaking tools

（首圖來源：ASML）

延伸閱讀：

• ASML：Hyper-NA EUV 為半導體下個十年重要變化，但關鍵在成本