美光介紹 1γ 節點製程，首度採用 EUV 技術使性能增加15%，功耗減 20%

外媒報導，本月初，記憶體大廠美光（Micron）宣布正在交貨全球首款採用 10 奈米級 1γ 製程技術的 LPDDR5X 記憶體產品。這屬於第六代 10 奈米級 1γ（1-gamma）DRAM 記憶體產品，是美光首款採用 EUV 微影曝光技術打造的行動解決方案，進一步獲得業界領先的容量密度優勢。

對此，美光還利用包括下一代高 K 金屬柵極技術在內的 CMOS 技術，提升了電晶體性能，達到更高的速率、更優化的設計，以及更小的晶片尺寸，為 1γ DRAM 節點製成技術帶來功耗降低和性能擴展的雙重優勢。在此情況下，美光也進一步公布了採用 1γ 節點製成技術生產的 LPDDR5X 記憶體情況。

根據 Tom’s Hardware 的報導，日前美光總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 在 2025 年第三季財報會議上，介紹了採用 1γ 節點製程技術的 LPDDR5X 記憶體情況，表示新產品性能非常出色，在良率的提升速度超過了第五代 10 奈米級 1β（1-beta）DRAM 節點製程技術的紀錄之後，預計本季內將完成幾個關鍵的產品里程碑。

按照美光的說法，相較於 1β DRAM 節點製程技術生產的產品，新一代 1γ DRAM 節點製程的產品有望將 DRAM 功耗降低 20%，同時性能提升 15%，另外位元密度提高 30%，帶來非常顯著的性能提升。一旦 1γ DRAM 節點製程技術的產品良率達到 1β 相近的水準，轉化到生產上，預計將能進一步的大幅降低生產成本。

除了 LPDDR5X 以外，美光在更早之前還將 1γ DRAM 節點製程技術用於 DDR5。Sanjay Mehrotra 強調，美光將在整個 DRAM 產品線中導入 1γ DRAM 節點製程技術，未來還會用於 GDDR7 和針對資料中心的產品來使用。

值得注意的是，近期韓國媒體報導，三星電子行動（MX) 事業部 Galaxy S25 系列手機採美光 LPDDR5X DRAM 比例將高於自家半導體（DS）事業部，美光 60%，三星 DS 事業部 40%，與市場預估 DS 事業部取得多數訂單相悖，顯示三星供應鏈策略大調整，也代表著美光在技術的進步已經獲得市場的肯定。

(首圖來源：美光)