
外傳 LG 電子正積極布局先進封裝領域,並啟動次世代封裝設備──Hybrid Bonder(混合鍵合機) 的開發,鎖定 HBM 等高頻寬記憶體堆疊應用,企圖搶占未來晶片堆疊市場的技術主導權。
根據業界消息,目前 LG 電子由旗下生產技術研究院,已著手開發 Hybrid Bonder,並希望在 2028 年前完成量產準備。LG 電子內部人士表示:「我們目前確實正積極研發 Hybrid Bonder,這項技術對未來 HBM 製程至關重要。」據了解,公司也計劃擴編團隊,加速研發進程並強化關鍵技術儲備。
Hybrid Bonding,是一種以「銅對銅(Cu-to-Cu)原子貼合」為核心的先進封裝方式,能省去傳統凸塊(bump)與焊料,實現更緊密的晶片堆疊。相較於傳統熱壓接法(Thermal Compression Bonding),此技術可顯著降低封裝厚度、提升訊號傳輸效率並改善散熱表現,對於愈加堆疊多層的 HBM3、HBM4、HBM4E 架構特別具吸引力。
目前全球 Hybrid Bonding 市場主要由荷蘭的 BE Semiconductor Industries(Besi)與美國應用材料公司(Applied Materials)主導。不過,由於 SK 與三星掌握 HBM 製造主導權,且兩家公司皆展現設備在地化的高度意願,若 LG 電子能展現優異的技術實力,將具備相當的市場切入機會。
隨著 AI 應用推升對高頻寬、低功耗記憶體的依賴,HBM 已成為高效能運算晶片的關鍵元件。對 LG 電子而言,若能成功研發並導入量產 Hybrid Bonder,有望在全球先進封裝市場中重塑競爭格局。
(首圖來源:Flickr/Aaron Yoo CC BY 2.0)