應對美國晶片禁令，中國能打造自己的 ASML 嗎？

美國政府對中國實施晶片出口管制，禁止 ASML 向中國出口先進的 EUV 與 DUV 設備，甚至連 DUV 設備的維修服務也遭限制，直接切斷中國取得與維護微影技術的關鍵途徑。受此影響，中國在 5 奈米以下的先進製程上難以與國際同步，微影技術成為半導體發展的最大瓶頸。

EUV vs DUV：波長決定製程

微影技術是將晶片電路圖樣轉印到晶圓上，對晶片效能與良率有關鍵影響。目前全球僅有 ASML、Canon 與 Nikon 三家公司能量產此類設備。

DUV（深紫外光）與 EUV（極紫外光）技術的主要差異在於光源波長。EUV 的波長為 13.5 奈米，僅為 DUV 的十分之一，可支援 5 奈米以下製程，是現代高階晶片不可或缺的技術核心。

國產設備初見成效，仍難與 ASML 並駕齊驅

上海微電子裝備公司（SMEE）微影設備，產品最高僅支援 90 奈米製程。

另外，中芯宣稱以國產 NUV 設備量產出 7 至 14 奈米晶片，但多方分析，其實際技術仍僅能達 65 奈米，與 ASML 相較有十年以上落差，顯示中國自研設備在實際量產與精度仍面臨極大挑戰。

華為、SiCarrier 積極投入，自建研發體系

為突破封鎖，中國科技巨頭華為已在上海設立大型研發基地，並延攬來自 ASML、台積電與應材等企業專家。華為也扶植 2021 年成立的新創企業 SiCarrier，投入光源模組、投影鏡頭與平台系統開發，目標打造國產光罩機完整能力。

華為亦於德國設立光學與模擬技術研究中心，積極拓展全球研發網絡。TechInsights 數據，2024 年中國共採購 410 億美元的半導體製造設備，占全球市場 40%。外界普遍認為，中方藉由購買設備進行拆解與反向工程，加速關鍵技術掌握。

第三期國家大基金啟動，瞄準微影產業關鍵環節

2024 年 5 月，中國啟動第三期「國家集成電路產業投資基金」，總額達 480 億美元，重點投資微影設備、矽片、材料與光阻等技術環節，並預計吸引超過 92 億美元的民間資金。

《Tom′s Hardware》報導，2025 年中國將重新分配部分資金，專項扶植本土光罩機製造商與 EDA 軟體開發商，以彌補半導體設計與製程工具對外依賴的缺口。

雖然投資金額龐大，但截至目前仍缺乏明確的成果與進度，反而出現資金錯配與晶圓廠經營風險，部分企業面臨倒閉危機，引發外界對政策實效性的質疑。

難以取代 ASML，短期應聚焦「自用滿足」

台積電前資深技術長、現任清華大學半導體學院院長林本堅表示：「光有資金是不夠的，還需晶圓廠長期參與、反覆驗證與極高精密的製造能力。微影設備的誤差容忍僅為數奈米，技術門檻極高。」

可見中國很難取代 ASML 的地位。微影技術是一項需要長時間研究與積累的技術，不可能一蹴可幾，更何況目前中國連基礎設備都難以取得。因此，當前中國能做的，是務實推進本土設備供應鏈建設，逐步減少對外技術的依賴。

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（首圖來源：shutterstock）