根據 ZDNet Korea 的報導，儘管人工智慧（AI）產業蓬勃發展，對高容量儲存的需求日益攀升。不過，三星電子在推進其第 9 代（V9）QLC NAND Flash 商業化的進程中卻遭遇了顯著的技術瓶頸，這使得原定於 2024 年下半年啟動首次量產的計畫，現因性能問題而延期。目前三星公司正全力進行設計及製程端的改進工作，以應對日益成長的市場需求，並鞏固其在高附加值記憶體市場的地位。
報導指出，三星電子已將V9 QLC NAND的全面商業化時程，至少推遲至2026年上半年。這項延期對於三星在高容量NAND市場的競爭力構成壓力，尤其是在AI產業對數據處理能力提出更高要求之際。
事實上，三星V9 NAND其採用了280層堆疊設計。2024 年4月，公司已成功量產採用TLC結構的首批V9 NAND產品，期達到了1TB的容量。而為了進一步提升儲存密度，三星於2024年9月宣布將量產V9 QLC NAND產品。相較於TLC，QLC NAND 在實現更高容量儲存裝置方面具有顯著優勢，QLC也因此成為滿足現代資料中心和AI應用龐大數據需求的關鍵技術。
然而，據多位熟悉情況的業內人士透露，三星電子在V9 QLC NAND的商業化過程中遇到了困難。初期的產品表現出性能下降的現象，問題根源在於設計層面。因此，為解決這些性能瓶頸，三星電子目前正積極針對V9 QLC NAND進行設計和製程端的改進工作。業界預計，這些改進工作最快有望在2026年上半年完成。
與此同時，為配合未來量產的需要，三星也計畫擴大V9 NAND的生產能力。公司正在討論2026年上半年在平澤園區和中國西安的晶圓廠進行V9 NAND的轉換投資。儘管具體的投資規模尚未確定，但由於平澤和西安廠區已小規模導入V9 NAND生產線，預計接下來的總生產能力將會進一步提升。
報導指出，V9 QLC NAND對三星的高附加值記憶體業務具有舉足輕重的作用。因為當前NAND市場正因AI產業的發展而經歷結構性轉變，對高容量產品的需求呈現爆炸性增長。不過，在QLC NAND市場，三星電子的主力產品仍停留在V7世代，而其下一代V8 NAND並未推出QLC產品。這導致了即便三星在整體NAND市場中保持著市場占有率第一的地位，但在QLC NAND市場中卻相對處於劣勢。
根據市調機構TrendForce和外資摩根士丹利的調查數據，預計2026年全球QLC NAND的出貨量中，三星電子的占比僅為約9%。相比之下，SK海力士的子公司Solidigm預計將占36%，鎧俠（Kioxia）和SanDisk合計占29%，至於美光市占比則達到17%。這些數據凸顯了三星在QLC NAND領域的競爭壓力。
報導引用韓國半導體業界相關人士的說法指出，在全球大型科技公司投資以及現有成熟NAND替換需求的推動下，QLC NAND的重要性日益凸顯。他進一步強調，三星電子若想從中受惠，必須確保最尖端產品的穩定擴大生產。這樣也代表著三星電子必須克服V9 QLC NAND的技術挑戰，才能有效抓住AI時代帶來的市場機遇，並在高容量NAND市場中重新確立其領先地位。所以，公司未來數月的改進成果，將成為業界關注的焦點。
(首圖來源：三星)
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