韓國三星近日在先進半導體技術領域方面展現出強勁的信心，該公司高層對其 2 奈米 GAA（Gate-All-Around）製程的發展進度表達高度樂觀。競爭對手 SK 海力士（SK hynix）企業總裁 Song Hyun-jong 也強調，這項製造技術將成為一個「關鍵的轉捩點」。目前，2 奈米 GAA 製程技術的晶圓量產已於 9 月下旬啟動，首款採用此技術的晶片為即將問世的三星自研 SoC-Exynos 2600。
根據朝鮮日報報導，在總統辦公室政策首席 Kim Yong-beom 主持的一場關於半導體產業議題的會議中，三星設備解決方案部門總裁兼技術長 Song Jae-hyuk 對2 奈米 GAA 製程給予極多正面的評價。相較於前幾年，三星晶圓代工業務表現不佳，使台積電攻占了市場大部分比率情況，目前看來三星終於有所轉變。報告指出，三星已將其 2 奈米 GAA 的良率目標，從原訂的 50% 大幅提高至 70%，並且預計在 2025 年底達成。
報導引用一位接近知情的人士說法表示，這些在高層會議上發表的言論可以被解讀為：三星正順利實現其規劃的 2 奈米製程良率和晶片性能目標。Song Jae-hyuk 在會議中暗示了其雄心壯志，希望藉由 2 奈米 GAA 節點的成功，最終能在全球晶圓代工市場上奪取第一名。不過，他也坦言，在追趕台積電以及應對特定技術與人力資源等挑戰時，公司需要政府提供龐大的支持。
另外，三星表示，為確保其在下一代節點中的競爭力，已付出了必要的努力。包括，三星已經完成了第二代 2 奈米 GAA 製程的基本設計。同時，代號為 SF2P+ 的第三代 2 奈米 GAA 製程，也預計在未來兩年內完成開發。
至於，三星首款採用 2 奈米 GAA 技術的晶片將是三星自研的 SoC-Exynos 2600。初步的內部測試結果顯示，Exynos 2600 的性能表現非凡。它在多項測試中輕鬆擊敗了競爭對手蘋果的 A19 Pro，以及高通的 Snapdragon 8 Elite Gen 5。更值得注意的是，測試數據揭示其 AI 性能比 A19 Pro 和 Snapdragon 8 Elite Gen 5 高出六倍。不過，雖然商業化產品的實際結果可能有所不同，但業界普遍期望三星的 2 奈米 GAA 技術能夠帶來實質性的效益。
(首圖來源：三星)
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