全新 SK 海力士 DDR5 記憶體晶片近日現身網路,據稱代號為「X021」,並帶有新的「AKBD」零件編碼。據外媒 WCCFtech 報導,該晶片首次出現在 Facebook 公開社團,似乎意味著即將到來。
該社團貼文由十銓科技的 Kevin Wu 分享,而 DDR5 晶片上還印有「X021」與「AKBD」等標記。 根據硬體爆料者 @unikoshardware 的說法,「X021」標示意味是第二代 3Gb A-Die 晶片,將接替目前用於早期 DDR5 模組的 3Gb M-Die。
目前 SK 海力士尚未正式公布這款第二代 3Gb DDR5 A-Die,但根據命名慣例,過去像是 EB、GB、HB 等代碼分別對應 4,800、5,600 與 6,400MT/s 的 JEDEC 標準頻率。因此,新代號「KB」可能延續這個規則,並對應至 7,200MT/s 的原生速度。
而 Facebook 社團交流,Kevin 也回應這顆是 7,200MT/s,不是 5,600 或 6,400。
這項新一代記憶體規格也與英特爾的未來平台路線圖相呼應。據規畫,Arrow Lake Refresh 與 Panther Lake 處理器預期將支援原生 DDR5-7200,這較 Raptor Lake 的 DDR5-5600 與 Arrow Lake 的 DDR5-6400 又提升一個檔次,意味新的 A-Die 晶片將成為下一代高頻 DDR5 記憶體模組的基礎,專為新一代英特爾處理器打造。
但也有用戶指出,照片中所示模組可能影響高頻穩定性,但目前應該算是 SK 海力士的早期樣品。報導認為,若要充分發揮最新 A-Die「AKBD」晶片的潛力,記憶體模組廠商勢必要搭配 10 層或 12 層 PCB 設計,才能真正發揮其高頻效能。
(首圖來源:shutterstock)






