SK 海力士第二代 A-Die DDR5 晶片曝光!原生頻率可達 7,200MT/s

作者 | 發布日期 2025 年 10 月 22 日 9:50 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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SK 海力士第二代 A-Die DDR5 晶片曝光!原生頻率可達 7,200MT/s

全新 SK 海力士 DDR5 記憶體晶片近日現身網路,據稱代號為「X021」,並帶有新的「AKBD」零件編碼。據外媒 WCCFtech 報導,該晶片首次出現在 Facebook 公開社團,似乎意味著即將到來。

社團貼文由十銓科技的 Kevin Wu 分享,而 DDR5 晶片上還印有「X021」與「AKBD」等標記。 根據硬體爆料者 @unikoshardware 的說法,「X021」標示意味是第二代 3Gb A-Die 晶片,將接替目前用於早期 DDR5 模組的 3Gb M-Die

目前 SK 海力士尚未正式公布這款第二代 3Gb DDR5 A-Die,但根據命名慣例,過去像是 EBGBHB 等代碼分別對應 4,8005,600 6,400MT/s JEDEC 標準頻率。因此,新代號「KB」可能延續這個規則,並對應至 7,200MT/s 的原生速度。

Facebook 社團交流,Kevin 也回應這顆是 7,200MT/s,不是 5,600   6,400

這項新一代記憶體規格也與英特爾的未來平台路線圖相呼應。據規畫,Arrow Lake Refresh Panther Lake 處理器預期將支援原生 DDR5-7200,這較 Raptor Lake DDR5-5600 Arrow Lake DDR5-6400 又提升一個檔次,意味新的 A-Die 晶片將成為下一代高頻 DDR5 記憶體模組的基礎,專為新一代英特爾處理器打造。

但也有用戶指出,照片中所示模組可能影響高頻穩定性,但目前應該算是 SK 海力士的早期樣品。報導認為,若要充分發揮最新 A-DieAKBD」晶片的潛力,記憶體模組廠商勢必要搭配 10 層或 12 PCB 設計,才能真正發揮其高頻效能。

(首圖來源:shutterstock)

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