韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）正積極擘劃人工智慧（AI）記憶體的新藍圖，該公司於日前宣布與輝達 (NVIDIA) 展開深度合作，共同開發效能較現有產品提升近 10 倍的次世代 AI NAND 解決方案。這項突破性的產品，以解決 AI 運算與儲存之間長期存在的瓶頸問題，預計首批樣本將於 2026 年底問世。
根據 ZDNet Korea 的報導，SK 海力士副社長 Kim Cheon-seong 於日前舉行的「2025 人工智慧半導體未來技術會議（AISFC）」中，詳細闡述了次世代 AI NAND 解決方案的開發進展。Kim Cheon-seong 表示，當前 AI 產業依據應用場景的不同，大致劃分為兩大領域，一是要求處理大量數據的資料中心，二是著重於在個別設備中實現高效能、低功耗 AI 功能的邊緣運算/裝置內建AI。對此，SK 海力士正專注於針對不同產業需求，開發高附加價值的 AI 記憶體產品。
在 AI 資料中心領域，代表性的記憶體產品包括高頻寬記憶體（HBM）、運算快速互連（CXL）、以及智慧型記憶體半導體（AiM）等。為進一步優化 AI 儲存解決方案，SK 海力士正在開發一套名為 「AIN Family」 的產品線。該產品線由三種不同側重點的 NAND 解決方案組成，分別針對性能（AI-NP）、頻寬（AI-NB）、和容量（AI-ND）進行了優化配置。
報導引用 SK 海力士的資料指出，在「AIN Family」中，AI-NP 是專門為大規模 AI 推論環境設計的解決方案，其核心目標是高效處理 AI 推論過程中產生的大量數據輸入與輸出。因此，AI-NP 的開發著重於大幅提升處理速度與能源效率，方法是將 AI 運算與儲存之間的瓶頸現象降至最低。為此，SK 海力士正在採用全新的架構設計 NAND 與控制器。
目前，SK 海力士正加速與輝達的合作，共同進行 AI-NP 的概念驗證。Kim Cheon-seong 透露，我們正在與輝達合作開發 AI-NP，預計 2026 年底將推出採用 PCIe Gen 6 介面，並可支援 2,500 萬次 IOPS（每秒處理的輸入/輸出操作次數）的版本。而此一性能指標具有劃時代意義。目前搭載於資料中心的高性能企業用 SSD（eSSD），其 IOPS 最高約為 300 萬次。換言之，2026 年底發布的 AI-NP 樣本，其性能預計將達到現有產品的 8 倍至 10 倍。
另外，SK 海力士對於未來的目標更為龐大。Kim Cheon-seong 預期約在 2027 年底左右，將能夠推動支援高達 1 億次 IOPS 的第二代產品投入量產，這代表著第二代 AI-NP 的性能將有望達到現有 eSSD 的 30 倍以上。
除了追求極致性能的 AI-NP 之外，在 AI-NB 優化方面，是一款與現有 SSD 相比，顯著擴大了記憶體傳輸頻寬的產品。在業界，此類產品有時也被稱為 HBF（High Bandwidth Flash）。HBF 的概念類似於高頻寬記憶體（HBM）。不過，HBM 是透過堆疊 DRAM 來達成的，而 HBF 則是透過堆疊 NAND 快閃記憶體來製造的產品。
在標準化方面，SK 海力士並非單打獨鬥。Kim Cheon-seong 指出，公司正與SanDisk 共同推進 AI-NB 的標準化工作。他預計，2026 年 1 月底左右將推出Alpha 版本。隨後在 2027 年預計推出原型樣本，並進行相關評估工作。
(首圖來源：shutterstock)
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