傳 ASML 擬開發混合鍵合設備，「精度控制優勢」恐改變先進封裝格局

先前市場消息盛傳，ASML 準備進軍半導體後段設備市場，將聚焦快速成長的先進封裝領域。根據韓媒 The Elec 報導，目前公司正在開發混合鍵合（hybrid bonding）系統，這是下一代晶片封裝的關鍵設備。

知情人士透露，ASML 已開始設計用於半導體後段製程的混合鍵合設備整體架構；此外，ASML 近期已與外部合作夥伴展開系統開發。

報導指出，潛在合作夥伴包括 Prodrive Technologies 與 VDL-ETG，這兩間公司都是 ASML 微影系統的長期供應商。前者提供用於 ASML 極紫外光（EUV）微影機磁浮（maglev）系統的線性馬達與伺服驅動器，後者負責製造相關機械結構。

磁浮系統可用於高精度移動晶圓載台，相較傳統氣浮系統具備更低震動特性。由於混合鍵合製程對超高精度對位有極高需求，因此這類技術正逐步導入混合鍵合設備中。

混合鍵合是一種用於晶片堆疊與連接的次世代封裝技術，與熱壓鍵合（TC bonding）不同，混合鍵合不需使用微小金屬凸塊（bumps），而是直接將晶片間的銅表面進行接合。在製程中，鍵合頭會拾取晶粒（die），移動至基板或晶圓上，並施加壓力，使銅層之間形成直接鍵結。

產業分析師透露，ASML 進入混合鍵合領域其實早在預期之中。2024 年，該公司已推出首款後段設備 TWINSCAN XT:260，這是一款用於先進封裝的 3D 深紫外光（DUV）微影系統，主要應用於在中介層上形成重佈線層（RDL）；ASML 也發表整合 DUV 與 EUV 掃描機的整體微影解決方案，將晶圓鍵合對位精度提升至約 5 奈米。

ASML 技術長 Marco Peters 指出，公司正密切評估半導體封裝領域的機會，並檢視如何在這個領域建立產品組合。據悉，在檢視過 SK 海力士等記憶體廠技術藍圖後，ASML 確認堆疊製程設備需求明確存在。

此外，先進封裝市場快速成長，相關設備商表現亮眼，這也成為 ASML 進軍混合鍵合的重要因素之一。貝思半導體（Besi）表示，其第四季訂單積壓年增達 105%，主要受混合鍵合需求帶動；ASMPT 去年則預估，先進封裝將占總營收約四分之一。

應材也已進軍先進封裝領域，去年該公司與貝思半導體合作開發 Kynex 晶粒對晶圓（D2W）混合鍵合系統，並整合貝思半導體 Datacon 8800 Cameo Ultra Plus AC 混合鍵合設備。

另一位知情人士指出，ASML 擁有全球最先進的超高精度控制技術之一，其混合鍵合技術可能大幅改變現有市場格局。不過，ASML 同時也表示，目前並未推動混合鍵合業務。